| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STM32F722RET6 | 32位MCU |
ST/意法 |
25+ |
28800 |
||||
| KLMAG1JETD-B041006 | SAMSUNG/三星 |
8960 |
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| KLM8G1GETF-B041006 | eMMC |
SAMSUNG/三星 |
20160 |
|||||
| KLM4G1FETE-B041 | FLASH存储器 |
SAMSUNG/三星 |
20480 |
|||||
| KLMCG2KCTA-B041 | 存储IC |
SAMSUNG/三星 |
2240 |
|||||
| K3KL9L90DM-MGCU | SAMSUNG/三星 |
6400 |
||||||
| KLM8G1GEUF-B04P | 存储IC |
SAMSUNG/三星 |
10080 |
|||||
| K4AAG165WC-BCWE |
|
存储IC |
SAMSUNG/三星 |
25+ |
20480 |
|||
| 000M2L9001CM-B518 | SAMSUNG/三星 |
10000 |
||||||
| 000MQX60013A-B419 | SAMSUNG/三星 |
10000 |
||||||
| M378A4G43MB1-CTD | 存储IC |
SAMSUNG/三星 |
2000 |
|||||
| M471A4G43CB1-CWE | SAMSUNG/三星 |
500 |
||||||
| M393A2K40EB3-CWE | SAMSUNG/三星 |
15 |
||||||
| M393A4K40EB3-CWE | SAMSUNG/三星 |
2000 |
||||||
| M321R8GA0EB2-CCP | SAMSUNG/三星 |
250 |
||||||
| M321R4GA3PB0-CWM | SAMSUNG/三星 |
250 |
||||||
| MZQL21T9HCJR-00A07 | SAMSUNG/三星 |
1200 |
||||||
| HMA851S6DJR6N-XN | SKHYNIX/海力士 |
1000 |
||||||
| HMA82GR7CJR8N-XN | SKHYNIX/海力士 |
1000 |
||||||
| HMCG78MEBRA | SKHYNIX/海力士 |
500 |
||||||
| HMCGM4MGBRB | SKHYNIX/海力士 |
500 |
||||||
| H9JCNNNBK3MLYR-N6E | SKHYNIX/海力士 |
3200 |
||||||
| H5TQ4G63EFR-RDA | SKHYNIX/海力士 |
12800 |
||||||
| H5AN4G6NBJR-VKC | 其他被动元件 |
SKHYNIX/海力士 |
10000 |
|||||
| H5AN8G8NCJR-XNC | SKHYNIX/海力士 |
31200 |
||||||
| H5TQ4G63EFR-TEC | 存储IC |
SKHYNIX/海力士 |
12800 |
|||||
| MT53D512M32D2DS046 AAT:D | MICRON/美光 |
40000 |
||||||
| MT41K256M16HA-125:E | MICRON/美光 |
23+ |
4000 |
|||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | MICRON/美光 |
23+ |
12000 |
|||||
| W989D6DBGX6I | IC |
WINBOND/华邦 |
25 |
39936 |